首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4467篇
  免费   806篇
  国内免费   539篇
化学   3289篇
晶体学   39篇
力学   270篇
综合类   48篇
数学   426篇
物理学   1740篇
  2024年   7篇
  2023年   124篇
  2022年   103篇
  2021年   171篇
  2020年   214篇
  2019年   171篇
  2018年   147篇
  2017年   132篇
  2016年   204篇
  2015年   180篇
  2014年   253篇
  2013年   288篇
  2012年   399篇
  2011年   387篇
  2010年   291篇
  2009年   289篇
  2008年   318篇
  2007年   313篇
  2006年   294篇
  2005年   208篇
  2004年   147篇
  2003年   117篇
  2002年   109篇
  2001年   89篇
  2000年   87篇
  1999年   99篇
  1998年   90篇
  1997年   89篇
  1996年   65篇
  1995年   89篇
  1994年   74篇
  1993年   44篇
  1992年   58篇
  1991年   45篇
  1990年   39篇
  1989年   25篇
  1988年   16篇
  1987年   12篇
  1986年   8篇
  1985年   8篇
  1984年   4篇
  1983年   1篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有5812条查询结果,搜索用时 0 毫秒
11.
Polarization self-modulation effect in a free oscillated Nd:YAG laser is investigated after a quarter wave plate is introduced independently in the two positions of the cavity. As described in the previous experiments, the intensity components in the orthogonal directions are modulated with a period of the round-trip time or twice. Different pulse shapes reveal that the seed field from the spontaneous emission is not uniform and seems to be stochastic for each pulse.  相似文献   
12.
激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响. 关键词: 脉冲激光 多层膜 限制结晶  相似文献   
13.
Yb:FAP和Yb:C_3S_2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
报导了Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果 ,研究发现由于电子_声子近共振耦合作用 ,Yb :FAP和Yb :C3S2 _FAP晶体均存在有明显的振动谱 ,Yb :FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差 10cm- 1 的两条线 .采用激光选择激发技术研究了Yb3 离子在FAP和C3S2 _FAP晶体中的格位特征 ,结果表明Yb3 离子在这两种基质中都只占据Ca(Ⅱ )格位 ,但由于CaF2 的挥发 ,导致了Ca(Ⅱ )格位的局部畸变 .  相似文献   
14.
Spectra Analysis of a Novel Ti-Doped LiAlO2 Single Crystal   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti: LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively: The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^+ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4+-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals.  相似文献   
15.
用准相对论扭曲波方法系统地计算了Ba、Nd、Gd、Yb、Au、Pb类铜离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω(nl-nl),3≤n≤7,4≤n≤7,同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度,用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数。对于一个激发过程,用10个参数可以得到碰撞电子在任意能量下的碰撞强度以及任意温度下的速率系数。  相似文献   
16.
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K.  相似文献   
17.
Yb:FAP和Yb:C3S2-FAP晶体光谱的温度特性和选择激发   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
关键词:  相似文献   
18.
19.
研制了一台五通道ROSS-FILTER-PIN软X射线能谱仪,能谱范围为0.28—1.56keV.它由5个连续能段组成,每个能段的起止边由罗斯滤片对(ROSS-FILTERS)的L或K吸收边确定.罗斯滤片对的厚度通过优化计算得到,为了使每个通道的灵敏区外响应(即所测能段外响应)与通道总响应之比最小,在滤片对的第二滤片上镀上了一定厚度的第一滤片材料;为了缩减滤片表面积以增强低能滤片的抗冲击能力及方便滤片加工,能谱仪采用了小探测面积的PIN探测器(1mm2).借助此能谱仪,测量得到了喷气式Z箍缩(Z-pinch)等离子体辐射软X射线能谱的分布,并研究了软X射线产额随箍缩状况的变化趋势. 关键词: Z箍缩等离子体 罗斯滤片 软X射线能谱  相似文献   
20.
The photoluminescence properties of the Bi3+ in sol-gel derived ZnTiO3 nanocrystals have been investigated. An ultra-violet emission at 360 nm and a visible emission band at 506 nm have been observed, originating from two kinds of emission centers. The former is ascribed to the 3P1-1S0 transition of Bi3+ and the latter to the recombination of the electrons with the photo-generated holes trapped in the zinc vacancies. In all cases the latter contribution is predominant.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号